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SSM6L14FE(TE85L,F)

  • 描述:场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门,1.5V驱动 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 800毫安 (Ta), 720毫安 (Ta) 供应商设备包装: ES6 工作温度: 150摄氏度
  • 品牌: 东芝 (Toshiba)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 1.74843 1.74843
  • 库存: 89
  • 单价: ¥1.74844
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥1.75
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管类型 N和P通道
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@1毫安
  • 包装/外壳 SOT-563、SOT-66
  • 制造厂商 东芝 (Toshiba)
  • 工作温度 150摄氏度
  • 场效应管特性 逻辑电平门,1.5V驱动
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 800毫安 (Ta), 720毫安 (Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 240毫欧姆@500毫安,4.5V,300毫欧姆@400毫安,4.5V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 2nC @ 4.5V, 1.76nC @ 4.5V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 90皮法 @ 10V, 110皮法 @ 10V
  • 最大功率 150mW(Ta)
  • 供应商设备包装 ES6

SSM6L14FE(TE85L,F) 产品详情

  • 应用范围:电源管理开关/高速开关
  • 极性:N-ch+P-ch
  • 生成:U-MOSⅢ/U-MOSⅤ
  • 内部连接:独立
  • RoHS兼容产品(#):可用
  • 组装基地:日本/泰国

特色

  • 装配底座:1.0 V
  • 装配底座:600 mΩ
  • 装配底座:450 mΩ
  • 装配底座:330 mΩ
  • 装配底座:240 mΩ
  • 装配底座:90 pF
  • 装配底座:2.0 nC
  • 装配底座:-1.0 V
  • 装配底座:300 mΩ
  • 装配底座:440 mΩ
  • 装配底座:670 mΩ
  • 装配底座:1.04Ω
  • 装配底座:110 pF
  • 装配底座:1.76 nC

应用

电源管理开关/高速开关
SSM6L14FE(TE85L,F)所属分类:场效应晶体管阵列,SSM6L14FE(TE85L,F) 由 东芝 (Toshiba) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SSM6L14FE(TE85L,F)价格参考¥1.748436,你可以下载 SSM6L14FE(TE85L,F)中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SSM6L14FE(TE85L,F)规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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