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PMDXB550UNEZ，带有引脚细节，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于SMD/SMT安装类型，数据表注释中显示了用于6-XFDFN暴露焊盘的封装盒，该焊盘提供Si等技术特性，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），以及表面安装安装类型，该设备也可以用作2信道数信道。此外，供应商设备包为DFN1010B-6，该设备为双配置，该设备具有2 N通道（双）FET型，最大功率为285mW，晶体管类型为2 N通道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Ciss Vds为30.3pF@15V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为590mA，Rds最大Id Vgs为670 mOhm@590mA，4.5V，Vgs最大Id为950mV@250μA，栅极电荷Qg Vgs为1.05nC@4.5V，Pd功耗为4.03W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为3 ns，上升时间为7 ns，Vgs栅源电压为+/-8 V，并且Id连续漏极电流为590 mA，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Vgs第栅极-源极阈值电压为450 mV，Rds导通漏极-漏极电阻为670 mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为12 ns，典型导通延迟时间为4 ns，Qg栅极电荷为1.05 nC，前向跨导Min为600mS，信道模式为增强。
PMDT670UPE，115是MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666，包括1.3V@250μA Vgs th Max Id，设计用于SOT-666供应商设备包，系列如数据表注释所示，用于汽车、AEC-Q101、TrenchMOS？、？，提供Rds On Max Id Vgs功能，例如850 mOhm@400mA，4.5V，Power Max设计为在330mW下工作，以及Digi-ReelR替代包装包装，该设备也可以用作SOT-563、SOT-666包装盒，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该设备采用表面安装安装型，该器件具有87pF@10V的输入电容Cis Vds，栅极电荷Qg Vgs为1.14nC@4.5V，FET类型为2 P通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，25°C的电流连续漏极Id为550mA。
PMDXB600UNE是MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN，包括600mA电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在20V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表注释中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计为在0.7nC@4.5V下工作，除了21.3pF@10V输入电容Ciss Vds外，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该器件采用6-XFDFN裸露衬垫封装盒，该器件具有Digi-ReelR交替封装，最大功率为265mW，最大Id Vgs为620mOhm@600mA，4.5V，系列为TrenchFETR，供应商设备包为6-DFN（1.1x1），Vgs th Max Id为950mV@250μA。
PMDXB1200UPEZ，带EDA/CAD型号，包括表面安装安装型，设计用于标准FET功能，数据表说明中显示了用于Digi-ReelR替代封装的封装，提供供应商设备封装功能，如DFN1010B-6，Vgs th Max Id设计用于950mV@250μa，以及6-XFDFN暴露焊盘封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，输入电容Ciss Vds为43.2pF@15V，该器件提供410mA电流连续漏极Id 25°C，该器件具有30V漏极到源极电压Vdss，最大功率为285mW，FET类型为2 P通道（双），最大Id Vgs上的Rds为1.4 Ohm@410mA，4.5V，栅极电荷Qg Vgs为1.2nC@4.5V。
