9icnet为您提供由Nexperia USA Inc.设计和生产的PMDXB550UNEZ，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。PMDXB550UNEZ参考价格为0.44000美元。Nexperia USA Inc.股份有限公司PMDXB550UNEZ封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN。您可以下载PMDXB550UNEZ英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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PMDT290UNE，115是MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666，包括Automotive、AEC-Q101、TrenchMOS？系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，包装箱如数据表注释所示，用于SOT-563、SOT-666，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及SOT-6660供应商设备包，该设备也可作为2 N通道（双）FET类型使用。此外，最大功率为500mW，该器件提供20V漏极到源极电压Vdss，该器件具有83pF@10V的输入电容Cis-Vds，FET特性为逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为800mA，最大Id Vgs上的Rds为380mOhm@500mA，4.5V，Vgs最大Id为950mV@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为0.68nC@4.5V。
PMDT670UPE，115是MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666，包括1.3V@250μA Vgs th Max Id，设计用于SOT-666供应商设备包，系列如数据表注释所示，用于汽车、AEC-Q101、TrenchMOS？、？，提供Rds On Max Id Vgs功能，例如850 mOhm@400mA，4.5V，Power Max设计为在330mW下工作，以及Digi-ReelR替代包装包装，该设备也可以用作SOT-563、SOT-666包装盒，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该设备采用表面安装安装型，该器件具有87pF@10V的输入电容Cis Vds，栅极电荷Qg Vgs为1.14nC@4.5V，FET类型为2 P通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，25°C的电流连续漏极Id为550mA。
带有电路图的PMDXB1200UPEZ，包括410mA电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在30V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表注释中显示了用于标准的FET特性，该标准提供FET类型特性，如2 P通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计为在1.2nC@4.5V下工作，以及43.2pF@15V输入电容Cis Vds，该设备也可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该设备采用6-XFDFN外露衬垫包装盒，该设备具有Digi-ReelR替代包装，最大功率为285mW，最大电流下Rds Id Vgs为1.4 Ohm@410mA，4.5V，供应商设备包装为DFN1010B-6，Vgs th Max Id为950mV@250μA。
