9icnet为您提供由其他公司设计和生产的SI4920DY，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4920DY价格参考0.34000美元。其他SI4920DY封装/规格：小信号N沟道MOSFET。您可以下载SI4920DY英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI4916DY-T1-E3是MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC，包括LITTLE FOOTR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了SI4916DY E3中使用的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.006596盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，除了8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ（半桥），功率最大值为3.3W、3.5W，晶体管类型为2 N沟道，漏极-源极电压Vdss为30V，FET特性为逻辑电平门，25°C时的电流连续漏极Id为10A、10.5A，最大Id Vgs为18 mOhm@10A、10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为10nC@4.5V，Pd功耗为1.9 W 2 W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为11 ns 13 ns，上升时间为11纳秒13 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为7.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Rds漏极源极电阻为18 m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为21ns 27ns，典型接通延迟时间为8ns 9ns，信道模式为增强。
SI4916DY-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于20 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于30 V，提供单位重量功能，如0.006596盎司，晶体管类型设计用于2 N沟道，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作Si技术。此外，供应商设备包为8-SO，该设备为LITTLE FOOTR系列，该设备具有18 mOhm@10A，10V Rds On Max Id Vgs，Rds On Drain Source电阻为18 mOhms，最大功率为3.3W，3.5W，Pd功耗为1.9 W 2 W，零件别名为SI4916DY-GE3，包装为磁带和卷轴（TR），封装外壳为8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽），工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数量为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏极电流为7.5 A，栅极电荷Qg Vgs为10nC@4.5V，FET类型为2 N通道（半桥），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，25°C的电流连续漏极Id为10A，10.5A，配置为双肖特基二极管。
SI4916DY，带有SI制造的电路图。SI4916D在SOP-8封装中提供，是FET阵列的一部分。
