FW276-TL-2H
- 描述:场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门,10V驱动 漏源电压标 (Vdss): 450伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 700毫安 (Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: 150摄氏度(TJ)
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渠道:
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数量 | 单价 | 合计 |
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规格参数
- 制造厂商
- 安装类别 表面安装
- 工作温度 150摄氏度(TJ)
- 部件状态 过时的
- 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
- 场效应管类型 2个N通道(双通道)
- 供应商设备包装 8-SOIC
- 场效应管特性 逻辑电平门,10V驱动
- 漏源电压标 (Vdss) 450伏
- 漏源电流 (Id) @ 温度 700毫安 (Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 12.1欧姆@350毫安,10V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.5V @ 1毫安
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 3.7nC @ 10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 55皮法 @ 20V
- 最大功率 1.6W(Tc)
FW276-TL-2H 产品详情
双N沟道MOSFET,ON半导体
FW276-TL-2H所属分类:场效应晶体管阵列,FW276-TL-2H 由 设计生产,可通过久芯网进行购买。FW276-TL-2H价格参考¥2.679873,你可以下载 FW276-TL-2H中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FW276-TL-2H规格参数、现货库存、封装信息等信息!