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STS8DNF3LL

  • 描述:场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 12.81993 12.81993
10+ 11.43653 114.36539
100+ 8.91456 891.45610
500+ 7.36443 3682.21800
1000+ 6.16646 6166.46000
2500+ 6.16646 15416.15000
  • 库存: 2500
  • 单价: ¥11.66107
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥12.82
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规格参数

  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 场效应管类型 2个N通道(双通道)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 8A
  • 部件状态 不适用于新设计
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 最大功率 1.6瓦
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 导通电阻 Rds(ON) 20欧姆@4A,10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 17nC @ 5V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 800皮法 @ 25V

STS8DNF3LL 产品详情

该功率MOSFET是使用STMicroelectronics独特的STripFET工艺开发的,该工艺专门设计用于最小化输入电容和栅极电荷。这使得该器件适合用作电信和计算机应用以及具有低栅极电荷驱动要求的应用的高级高效隔离DC-DC转换器中的主开关。

特色

  • OptimalRDS(打开)xQgtrade-off@4.5V
  • 传导损耗降低
  • 开关损耗减少
STS8DNF3LL所属分类:场效应晶体管阵列,STS8DNF3LL 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STS8DNF3LL价格参考¥11.661069,你可以下载 STS8DNF3LL中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STS8DNF3LL规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

意法半导体 (STMicroelectronics)

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