9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7923DN-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7923DN-T1-GE3价格参考1.65000美元。Vishay Siliconix SI7923DN-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8。您可以下载SI7923DN-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI7923DN-T1-E3是MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代封装，数据表注释中显示了用于SI7923DN-13的零件别名，该SI7923DN E3提供了SMD/SMT等安装样式功能，封装盒设计用于PowerPAKR 1212-8 Dual，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有PowerPAKR 1212-8双重供应商器件封装，配置为双重，FET类型为2 P通道（双重），最大功率为1.3W，晶体管类型为2 P-通道，漏极至源极电压Vdss为30V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为4.3A，最大Id Vgs的Rds为47mOhm@6.4A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为21nC@10V，Pd功耗为1.3W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12ns，上升时间为12s，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为4.3A，Vds漏极-源极击穿电压为-30V，Rds漏极源极电阻为47mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为38ns，典型接通延迟时间为10ns，沟道模式为增强。
SI7923DN，带有INTERSIL制造的用户指南。SI7923DN在QFN8封装中提供，是FET阵列的一部分。
SI7923DN-T1-e3ct-nd，带有VISHAY制造的电路图。SI7923DN-T1-e3ct-nd在PowerPAK®1212-8双封装中提供，是FET阵列的一部分，支持MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8。
