9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4922BDY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4922BDY-T1-GE3参考价格1.72000美元。Vishay Siliconix SI4922BDY-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC。您可以下载SI4922BDY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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Si4922BDY-T1-E3是MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。Si4922BDY-E3提供单位重量功能，如0.006596盎司，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，除了8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ，功率最大值为3.1W，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为2070pF@15V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为8A，最大Id Vgs的Rds为16 mOhm@5A，10V，Vgs最大Id为1.8V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为62nC@10V，Pd功耗为2 W，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-50℃，下降时间为8 ns 54 ns，上升时间为27 ns 53 ns，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为8 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Rds漏极源极电阻为16 mOhms，并且晶体管极性是N沟道，并且典型关断延迟时间是31ns 68ns，并且典型接通延迟时间是7ns 13ns，并且沟道模式是增强。
SI4922BDY，带有SI制造的用户指南。SI4922BDY在SOP-8封装中提供，是FET阵列的一部分。
SI4922BDY-T1，带有VISHAY制造的电路图。SI4922BDY-T1采用SO-8封装，是FET阵列的一部分。
