9icnet为您提供由Advanced Linear Devices Inc.股份有限公司设计和生产的ALD1107PBL，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。ALD1107PBL参考价格为5.80000美元。Advanced Linear Devices股份有限公司ALD1107PBL封装/规格：MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP。您可以下载ALD1107PBL英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ALD1106PBL是MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP，包括ALD1106P系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.057144盎司，提供安装类型功能，如通孔、，封装外壳设计用于14-DIP（0.300“，7.62mm）以及Si技术，其工作温度范围为0°C~70°C（TJ）此外，安装类型为通孔，该器件提供4通道数量的通道，该器件具有供应商器件包的14-PDIP，配置为Quad，FET类型为4 N通道，匹配对，最大功率为500mW，晶体管类型为4 N-通道，漏极到源极电压Vdss为10.6V，输入电容Cis-Vds为3pF@5V，FET特性为标准，Rds On最大Id Vgs为500 Ohm@5V，Vgs th最大Id为1V@1μA，Pd功耗为500 mW，最大工作温度范围为+70 C，最小工作温度范围0 C，Vgs栅极-源极电压为13.2 V，Id连续漏极电流为4.8 mA，Vds漏极-源极击穿电压为12 V，Rds漏极-源极电阻为350欧姆，晶体管极性为N沟道，正向跨导最小值为0.0018S，沟道模式为增强。
ALD1105SBL是MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC，包括1V@1μA Vgs和最大Id，它们设计为与14-SOIC供应商器件包一起工作，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，用于500 Ohm@5V，提供功率最大特性，如500mW，以及14-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒，其工作温度范围为0°C~70°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供3pF@5V输入电容Cis-Vds，器件具有2 N和2 P通道匹配对FET类型，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为10.6V。
ALD1106SBL是MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC，包括10.6V漏极到源极电压Vdss，它们设计为与标准FET功能一起工作，FET类型如数据表注释所示，用于4N通道匹配对，提供输入电容Cis-Vds功能，如3pF@5V，安装类型设计为在表面安装中工作，它的工作温度范围为0°C~70°C（TJ），该器件也可用作14-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒。此外，封装为管形，该器件的最大功率为500mW，该器件具有500欧姆@5V的Rds On Max Id Vgs，供应商器件封装为14-SOIC，Vgs th Max Id为1V@1μa。
