9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的2DD2150R-13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。2DD2150R-13参考价格为0.414美元。Diodes Incorporated 2DD2150R-13包装/规格：TRANS NPN 20V 3A SOT89-3。您可以下载2DD2150R-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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2DD2098R-13是TRANS NPN 20V 5A SOT89-3，包括2DD2系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.001834盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于SOT-89，以及单配置，该设备也可用作1000 mW Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C，该器件的集电极-发射极电压VCEO Max为20 V，晶体管极性为NPN，集电极-发射器饱和电压为1 V，集电极基极电压VCBO为50 V，发射极基极电压VEBO为6 V，最大直流集电极电流为10 a，增益带宽乘积fT为220MHz，直流集电极基本增益hfe Min在500mA 2V时为180，直流电流增益hfe Max在0.5A 2V下为180。
2DD1766R-13是TRANS NPN 32V 2A SOT89-3，包括0.001834 oz单位重量，它们设计用于NPN晶体管极性，系列如数据表注释所示，用于2DD17，提供Pd功耗功能，如1000 mW，包装设计用于卷筒，以及SOT-89封装盒，该设备也可以用作SMD/SMT安装类型，它的最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，该器件的最大直流集电极电流为2.5 a，增益带宽积fT为220 MHz，发射极基极电压VEBO为5 V，直流集电极基极增益hfe Min为180（在500 mA 3 V时），配置为单一，集电极-发射极电压VCEO Max为32 V，集电极-发射极饱和电压为800mV，集电极-基极电压VCBO为40V。
2DD1766RDIDkR，电路图由DIODES制造。2DD1766RDIDkR在TO-243AA封装中提供，是晶体管（BJT）-单体的一部分，支持TRANS NPN 32V 2A SOT89-3。
2DD209L，带有CS制造的EDA/CAD模型。2DD209L采用TO-3P封装，是IC芯片的一部分。
