9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的BD436，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BD436参考价格为0.118美元。STMicroelectronics BD436包装/规格：TRANS PNP 32V 4A SOT-32。您可以下载BD436英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BD435STU是双极晶体管-BJT NPN外延硅，包括管封装，它们设计为与BD435STU-NL零件别名一起工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.026843盎司，提供安装类型特征，如通孔，封装外壳设计为在to-126中工作，该器件还可以用作36 W Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-65 C，该器件的集电极-发射极电压VCEO Max为32 V，晶体管极性为NPN，集电极-发射器饱和电压为0.2 V，集电极基极电压VCBO为32 V，并且发射极基极电压VEBO是5V，并且最大DC集电极电流是4A，并且增益带宽乘积fT是3MHz，并且连续集电极电流为4A，并且DC集电极基极增益hfe Min是40。
BD435S是TRANS NPN 32V 4A TO-126，包括0.026843 oz单位重量，它们设计用于NPN晶体管极性，Pd功耗如数据表注释所示，用于36 W，提供零件别名功能，如BD435S_NL，包装设计用于散装，以及TO-126包装箱，该设备也可以用作通孔安装型，它的最小工作温度范围为-65℃，最大工作温度范围+150℃，该器件的最大直流集电极电流为4 a，增益带宽积fT为3 MHz，发射极基极电压VEBO为5 V，直流集电极基极增益hfe Min为40，连续集电极电流4 a，配置为单一，集电极-发射极电压VCEO Max为32V，集电极-发射器饱和电压为0.2V，集极基极电压VCBO为32V。
BD435N带有ST制造的电路图。BD435N以TO-126F封装形式提供，是IC芯片的一部分。
