9icnet为您提供由松下电子元件公司设计和生产的2SA2161G0L，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。2SA2161G0L参考价格为0.286美元。松下电子元件2SA2161G0L包装/规格：TRANS PNP 12V 0.5A SSMINI3P。您可以下载2SA2161G0L英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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2台2154mv-GR（TPL3带有引脚细节，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，封装盒如数据表注释所示，用于SOT-723，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备封装设计用于VESM，以及单一配置，该设备也可以用作150mW最大功率。此外，晶体管类型为PNP，该器件提供150mA电流收集器Ic Max，该器件具有50V电压收集器-发射器击穿最大值，直流电流增益hFE最小Ic Vce为200@2mA，6V，Vce饱和最大Ib Ic为300mV@10mA，100mA，电流收集器截止最大值为100nA（ICBO），频率转换为80MHz，Pd功耗为150mW，它的最大工作温度范围为+150 C，集电极-发射极电压VCEO Max为50 V，晶体管极性为PNP，集电极基极电压VCBO为-50 V，发射极基极电压VEBO为-5 V，最大直流集电极电流为0.15 A，增益带宽积fT为80 MHz（Min），连续集电极电流是-150 mA，并且DC集电极基极增益hfe Min为200并且DC电流增益hfe Max为400。
2SA2154MFV-Y（TPL3）是双极晶体管-BJT-150mA-50V，包括PNP晶体管极性，它们设计用于150 mW Pd功耗，包装如数据表说明所示，用于卷筒，提供VESM等封装外壳功能，安装样式设计用于SMD/SMT，其最大工作温度范围为+150 C，该装置也可以用作0.15A最大DC集电极电流。此外，增益带宽乘积fT为80 MHz（Min），该设备提供-5 V发射极基极电压VEBO，该设备具有240的直流电流增益hFE Max，直流集电极基极增益hFE Min为120，连续集电极电流为-150 mA，配置为单一，集电极-发射极电压VCEO Max为50 V，集电极基电压VCBO为-50 V。
2SA2154MFV-Y，带有东芝制造的电路图。2SA2154MFV-Y采用sot-723VESM封装，是IC芯片的一部分。
2SA2161，带有PANASONIC制造的EDA/CAD模型。2SA2161在SOT523封装中提供，是晶体管（BJT）-单体的一部分。
