9icnet为您提供由其他公司设计和生产的SI4963DY，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4963DY参考价格0.63000美元。其他SI4963DY封装/规格：P沟道功率MOSFET。您可以下载SI4963DY英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI4963BDY-T1-E3是MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8-SOIC，包括Digi-ReelR替代封装封装，它们设计用于SI4963BDY-E3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.006596盎司，提供SMD/SMT等安装样式功能，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供2通道数量的通道，器件具有8-SO供应商器件封装，配置为双通道，FET类型为2 P通道（双通道），最大功率为1.1W，晶体管类型为2 P沟道，漏极至源极电压Vdss为20V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为4.9A，最大Id Vgs的Rds为32 mOhm@6.5A，4.5V，Vgs最大Id为1.4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为21nC@4.5V，Pd功耗为1.1W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为40 ns，上升时间为40纳秒，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为4.9 A，Vds漏极-源极击穿电压为-20 V，Rds漏极源极电阻为32 m欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为80ns，典型接通延迟时间为30ns，信道模式为增强。
SI4963BDY-T1-GE3是MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8SOIC，包括1.4V@250μ，该器件还可以用作2P沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为P沟道，该器件采用Si技术提供，该器件具有8-SO供应商器件封装，上升时间为40 ns，Rds On Max Id Vgs为32 mOhm@6.5A，4.5V，Rds On Drain Source Resistance为32 mOhm，功率最大值为1.1W，Pd功耗为1.1 W，部件别名为SI4963BDY-GE3，封装为磁带和卷轴（TR），封装外壳为8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽），工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数量为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏极电流为4.9 A，栅极电荷Qg Vgs为21nC@4.5V，FET类型为2 P通道（双），FET特性为逻辑电平门，下降时间为55ns，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为4.9A，配置为双通道，通道模式为增强型。
SI4963BDY-T1-E3，带有VISHAY制造的电路图。SI4963BDY-T1-E3。SOP-8封装中提供，是IC芯片的一部分。
