9icnet为您提供由Nexperia USA Inc.设计和生产的PMDXB950UPEZ，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。PMDXB950UPEZ参考价格为0.39000美元。Nexperia USA Inc.股份有限公司PMDXB950UPEZ封装/规格：MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN。您可以下载PMDXB950UPEZ英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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PMDXB600UNE是MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，包装箱如数据表注释所示，用于6-XFDFN暴露焊盘，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及6-DFN（1.1x1）供应商设备包，该器件也可以用作2N沟道（双）FET型。此外，最大功率为265mW，该器件提供20V漏极到源极电压Vdss，该器件具有21.3pF@10V的输入电容Cis-Vds，FET特性为逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为600mA，最大Id Vgs上的Rds为620mOhm@600mA，4.5V，Vgs最大Id为950mV@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为0.7nC@4.5V。
PMDXB950UPE带有用户指南，包括950mV@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于6-DFN（1.1x1）供应商设备包，系列如数据表注释所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如1.4 Ohm@500mA，4.5V，Power Max设计用于265mW，以及Digi-ReelR备用封装，该器件也可用作6-XFDFN暴露焊盘封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有43pF@10V输入电容Ciss Vds，栅极电荷Qg Vgs为2.1nC@4.5V，FET类型为2 P通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极-源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为500mA。
带有电路图的PMDXB600UNEZ，包括600mA电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在20V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表注释中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计为在0.7nC@4.5V下工作，以及21.3pF@10V输入电容Cis Vds，该设备也可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该设备采用6-XFDFN外露衬垫包装盒，该设备具有Digi-ReelR替代包装，最大功率为265mW，最大电流Vgs为620mOhm@600mA，4.5V，供应商设备包装为DFN1010B-6，Vgs th Max Id为950mV@250μA。
