特色
- -25 V，-0.12 A连续，-0.5 A峰值
- RDS（开）=13Ω@VGS=-2.7 V
- RDS（开）=10Ω@VGS=-4.5 V
- 极低水平的栅极驱动要求，允许在3V电路中直接操作。VGS（th）<1.5V
- 栅极-源极齐纳，用于ESD加固。>6kV人体模型
- 用一个DMOS FET替换多个PNP数字晶体管（IMHxA系列）
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用。
FDC6302P
- 描述:场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120毫安 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌:
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1181
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1181+ | 1.81072 | 2138.46622 |
- 库存: 192629
- 单价: ¥1.81073
-
数量:
- +
- 总计: ¥2,138.47
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 制造厂商
- 安装类别 表面安装
- 场效应管特性 逻辑电平门
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 场效应管类型 2个P通道（双通道）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@250A.
- 最大功率 700mW
- 包装/外壳 SOT-23-6薄型，TSOT-23-6
- 供应商设备包装 SuperSOT-6.
- 漏源电压标 (Vdss) 25伏
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 0.31nC@4.5V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 120毫安
- 导通电阻 Rds(ON) 200毫安时10欧姆，4.5伏
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 10V时为11皮法
FDC6302P 产品详情
这些双P沟道逻辑电平增强型场效应晶体管使用专有的高单元密度DMOS技术生产。这种非常高密度的工艺特别适合于最小化导通电阻。该器件特别设计用于低压应用，作为负载切换应用中数字晶体管的替代品。由于不需要偏置电阻器，因此一个P沟道FET可以用不同的偏置电阻器（如IMBxA系列）代替多个数字晶体管。
FDC6302P 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FDC658P_NB4E011 | 安盛美 (onsemi) | IC AUDIO JACK DETECTION SUPERSOT | ¥0.32968 |
| FDCD-37PF-610A100 | 广赖 (Hirose) | CONNECTOR | ¥53.36569 |
 | FDC021N30 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.1A (Ta) 最大功耗: 700mW (Ta) 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.33173 |
| FDC37C653QFP | FLOPPY DISK CONTROLLER | ¥38.31494 | |
| FDC37M813QFP | PC98/99 COMPLIANT ENHANCED SUPER | ¥16.87596 | |
| FDC37C65BLJP | 2.88MB FLOPPY DISK CONTROLLER | ¥43.52983 | |
| FDC37B777QFP | ENHANCED SUPER I/O CONTROLLER | ¥35.99721 | |
 | FDC92C39BTP | ENHANCED FLOPPY DISK INTERFACE | ¥84.81436 | |
 | FDC37C669FRQFP | SUPER I/O WITH LPC INTERFACE | ¥35.99721 | |
 | FDC6332L | 安盛美 (onsemi) | 开关种类: 一般用途 输出类别: P-通道 输入比率 / 输出比率: 1:1 输出配置: 高端 负载电压: 1.8伏~8伏 供应商设备包装: SuperSOT-6. | ¥21.00441 |
FDC6302P所属分类：场效应晶体管阵列，FDC6302P 由 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDC6302P价格参考￥1.810725，你可以下载 FDC6302P中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDC6302P规格参数、现货库存、封装信息等信息！