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CPH6337-TL-W带有引脚细节，包括卷轴封装，它们设计为采用SMD/SMT安装方式操作，数据表注释中显示了用于CPH-6的封装盒，该CPH-6提供Si等技术特性，通道数设计为在1通道中工作，以及单四漏极配置，该器件也可以用作1 P通道晶体管类型。此外，Pd功耗为1.6W，其最大工作温度范围为+150℃，器件的下降时间为50ns，上升时间为80ns，Vgs栅极-源极电压为+/-10V，Id连续漏极电流为-3.5A，Vds漏极-源极击穿电压为-12V，第Vgs栅极源极阈值电压为-1.4V，Rds导通漏极-源极电阻为215mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为41ns，典型接通延迟时间为8.8ns，Qg栅极电荷为5.6nC，正向跨导最小值为2.7S，沟道模式为增强。
CPH6337-TL-E是MOSFET P-CH 12V 3.5A CPH6，包括10 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-12 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。数据表注释中显示了用于1 P沟道的晶体管类型，提供晶体管极性特性，如P沟道，技术设计为在Si中工作，以及CPH6337系列，该器件也可以用作70毫欧姆Rds漏极-源极电阻。此外，Pd功耗为1.6W，该器件采用卷筒包装，该器件具有SOT-26-6封装盒，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为3.5 a，配置为单通道。
cph6335-tl-e，电路图由sanyo制造。cph6335-tl-e在sot23-6封装中提供，是IC芯片的一部分。
