旨在最大限度地减少功率转换损失,同时保持优异的开关性能
用于极低RDS的高性能Trench技术(开启)
同步FET™ 得益于高效的肖特基体二极管
在同步整流DC-DC转换器、电机驱动器、网络负载点低侧开关中的应用
特色
- Q2优化以最小化传导损耗包括SyncFET肖特基二极管8.5A,30VMax。RDS(开启)=20 mΩ,VGS=10 VMax。RDS(开启)=28 mΩ,VGS=4.5 V
- Q1针对低开关损耗优化5.5A,30VMax。RDS(开启)=31 mΩ,VGS=10 VMax。RDS(开启)=40 mΩ,VGS=4.5 V低栅极电荷(典型值为8nC)
- 符合RoHS
应用
- 本产品通用,适用于许多不同的应用。