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FDS9953A

  • 描述:场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.9A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌:
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 694

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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 制造厂商
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 场效应管类型 2个P通道(双通道)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 最大功率 900mW
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 3.5nC @ 10V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 2.9A
  • 导通电阻 Rds(ON) 130毫欧姆@1A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 185华氏度@15伏

FDS9953A 产品详情

PowerTrench®双P沟道MOSFET,Fairchild半导体

PowerTrench®MOSFET是经过优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。它们结合了小栅极电荷(Qg)、小反向恢复电荷(Qrr)和软反向恢复体二极管,有助于快速切换AC/DC电源中的同步整流。
最新的PowerTrench®MOSFET采用了提供电荷平衡的屏蔽栅极结构。通过利用这一先进技术,这些设备的FOM(品质因数)显著低于上一代设备。
PowerTrench®MOSFET的软体二极管性能能够消除缓冲电路或更换更高额定电压的MOSFET。

特色

  • -2.9安培,-30伏
  • RDS(开启)=130 mΩ@VGS=-10 V
  • RDS(开启)=200 mΩ@VGS=-4.5 V
  • 低栅极电荷(典型值为2.5nC)
  • 快速切换速度
  • 用于极低RDS(ON)的高性能沟槽技术
  • 高功率和电流处理能力

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
  • 电源管理
  • 负载开关
  • 蓄电池保护
FDS9953A所属分类:场效应晶体管阵列,FDS9953A 由 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDS9953A价格参考¥3.114447,你可以下载 FDS9953A中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDS9953A规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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