9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4946BEY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4946BEY-T1-GE3参考价格为1.55000美元。Vishay Siliconix SI4946BEY-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC。您可以下载SI4946BEY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI4946BEY-T1-E3是MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，零件别名如数据表注释所示，用于SI4946BEY-E3，提供单位重量功能，如0.017870盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及TrenchFET商品名，该器件还可以用作8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒。此外，该技术为硅，其工作温度范围为-55°C ~ 175°C（TJ），该器件具有安装型表面安装，通道数为2通道，供应商器件封装为8-SO，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），功率最大值为3.7W，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为840pF@30V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为6.5A，最大Id Vgs上的Rds为41 mOhm@5.3A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为25nC@10V，Pd功耗为3.7W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-50 C，下降时间为30 ns 10 ns，上升时间为120 ns 12 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为6.5A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds导通漏极-源极电阻为41mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为20ns 25ns，典型接通延迟时间为20 ns 10ns，沟道模式为增强型。
SI4946-3和KEXIN制造的用户指南。SI4946-3在SOP08封装中提供，是IC芯片的一部分。
SI4946BDY，带有SI制造的电路图。SI4946BDY采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
