9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4559ADY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4559ADY-T1-GE3参考价格1.64000美元。Vishay Siliconix SI4559ADY-T1-GE3封装/规格：MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8-SOIC。您可以下载SI4559ADY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI4559ADY-T1-E3是MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8-SOIC，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI4559ADY-E3的零件别名，该SI4559ADY-E3提供单位重量功能，例如0.017870盎司，除了8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件有2个通道数，供应商器件封装为8-SO，配置为1个N通道1个P通道，FET类型为N和P通道，最大功率为3.1W、3.4W，晶体管类型为1个N-通道1个P-通道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为665pF@15V，FET特性为逻辑电平门，25°C时电流连续漏极Id为5.3A、3.9A，最大Id Vgs的Rds为58mOhm@4.3A、10V，Vgs的最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为20nC@10V，Pd功耗为2W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10ns 30ns，上升时间为65ns 70ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为4.3A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds漏极源极电阻为46mOhms 100mOhms，晶体管极性为N沟道P沟道，典型关断延迟时间为20ns 40ns，典型开启延迟时间为15ns 30ns，信道模式为增强。
SI4559ADY，带有SI制造的用户指南。SI4559AY可在SOP-8封装中获得，是FET阵列的一部分。
SI4559ADY-T1，带有VISHAY制造的电路图。SI4559ADY-T1在SOP包中提供，是FET阵列的一部分。
