9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7913DN-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7913DN-T1-GE3参考价格1.72000美元。Vishay Siliconix SI7913DN-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212-8。您可以下载SI7913DN-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI7913DN-T1-E3是MOSFET 2P-CH 20V 5A 1212-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，数据表注释中显示了用于SI7913DN-1E3的零件别名，该SI7913DN E3提供了SMD/SMT等安装样式功能，封装盒设计为在PowerPAKR 1212-8 Dual以及Si技术中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有PowerPAKR 1212-8双重供应商器件封装，配置为双重，FET类型为2 P通道（双重），最大功率为1.3W，晶体管类型为2 P-通道，漏极到源极电压Vdss为20V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为5A，最大Id Vgs的Rds为37 mOhm@7.4A，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为24nC@4.5V，Pd功耗为1.3 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为70 ns，上升时间为70纳秒，Vgs栅极-源极电压为8V，Id连续漏极电流为5A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Rds导通漏极-漏极电阻为37mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为72ns，典型接通延迟时间为20ns，沟道模式为增强。
SI7911DN-T1-E3是MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8，包括1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与PowerPAKR 1212-8双供应商器件包一起工作，系列如数据表说明所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如51 mOhm@5.7A，4.5V，Power Max设计为1.3W，以及Digi-ReelR封装，该器件也可以用作PowerPAKR 1212-8双封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有15nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 P沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，25°C的电流连续漏电流Id为4.2A。
SI7911DN-T1-GE3是MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8，包括4.2A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在20V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表说明中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 P通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计为在15nC@4.5V下工作，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，封装外壳为PowerPAKR 1212-8 Dual，器件采用Digi-ReelR封装，器件最大功率为1.3W，Rds On Max Id Vgs为51 mOhm@5.7A，4.5V，系列为TrenchFETR，供应商器件封装为PowerPAKR11212-8 Dual，Vgs th Max Id为1V@250μa。
