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FDD9407L_F085带有引脚细节，包括PowerTrench系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.139332盎司，提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于PowerTrench，以及to-252-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为227 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为21 ns，上升时间为35 ns，Vgs栅源电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为100A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs栅极-源极阈值电压为1V，Rds导通漏极-漏极电阻为2.9mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为58ns，典型接通延迟时间为17ns，Qg栅极电荷为96nC，沟道模式为增强。
FDD8N50NZTM是MOSFET UNIFET2 500V N-CH MOSFET DPAK，包括25 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在500 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.009184盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如17 ns，典型的关闭延迟时间设计为43 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件以34 ns上升时间提供，器件具有850 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Qg栅极电荷为14 nC，Pd功耗为90 W，封装为卷轴，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为6.5A，下降时间为27ns。
带有电路图的FDD9407_F085，包括单配置，设计用于100 a Id连续漏电流，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供信道数功能，如1信道，封装盒设计用于to-252-3以及卷筒封装，该设备也可用作86 nC Qg栅极电荷。此外，Rds漏极-源极电阻为2 mOhm，该器件采用Si技术，该器件具有N沟道晶体管极性，晶体管类型为1 N沟道，单位重量为0.009184 oz，Vds漏极源极击穿电压为40 V，Vgs栅极-源极电压为10 V。
