STripFET™ 具有宽击穿电压范围的MOSFET提供超低栅极电荷和低导通电阻。
STS4DPF20L
- 描述:场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 12.74750 | 12.74750 |
10+ | 11.47999 | 114.79997 |
100+ | 9.22528 | 922.52820 |
- 库存: 125
- 单价: ¥12.74750
-
数量:
- +
- 总计: ¥12.75
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规格参数
- 安装类别 表面安装
- 场效应管特性 逻辑电平门
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 场效应管类型 2个P通道(双通道)
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 部件状态 过时的
- 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 4A
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
- 供应商设备包装 8-SOIC
- 最大功率 1.6瓦
- 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 导通电阻 Rds(ON) 80毫欧姆 @ 2A, 10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 16nC @ 5V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1350皮法@25V
STS4DPF20L 产品详情
N沟道STripFET™ 双MOSFET,STMicroelectronics
STS4DPF20L所属分类:场效应晶体管阵列,STS4DPF20L 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STS4DPF20L价格参考¥12.747504,你可以下载 STS4DPF20L中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STS4DPF20L规格参数、现货库存、封装信息等信息!
意法半导体 (STMicroelectronics)
意法半导体是一家全球独立的半导体公司,在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权(IP)组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统(So...