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RFD3055LESM9A是MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于RFD3055LESM9A_NL零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.009184盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，封装盒设计用于TO-252-3、DPak（2引线+标签）、SC-63以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-252AA，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为38W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为350pF@25V，FET的特点是逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为11A（Tc），最大Id Vgs的Rds为107 mOhm@8A，5V，Vgs的最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为11.3nC@10V，Pd功耗为38 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为39 ns，上升时间为105ns，Vgs栅极-源极电压为16V，Id连续漏极电流为11A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds导通漏极-漏极电阻为107mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为22ns，典型导通延迟时间为8ns，沟道模式为增强。
RFD3055LESM是由FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA。RFD3055LESM采用TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA、N沟道60V 11A（Tc）38W（Tc）表面安装TO-252AB、Trans-MOSFET N-CH Si 60V 11A-3-Pin（2+接线片）DPak导轨。
RFD3055RLE，带有HARRIS制造的电路图。RFD3055RLE在TO封装中提供，是IC芯片的一部分。
RFD3055RLESM96，带有HARRIS制造的EDA/CAD模型。RFD3055RLESM96采用TO-252封装，是IC芯片的一部分。
