9icnet为您提供由Advanced Linear Devices Inc.股份有限公司设计和生产的ALD1107SBL，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。ALD1107SBL参考价格$5.80000。Advanced Linear Devices股份有限公司ALD1107SBL封装/规格：MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC。您可以下载ALD1107SBL英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ALD1107PBL是MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP，包括ALD1107P系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.057144盎司，提供安装类型功能，如通孔、，封装外壳设计用于14-DIP（0.300“，7.62mm）以及Si技术，其工作温度范围为0°C~70°C（TJ）此外，安装类型为通孔，该器件提供4通道数量的通道，该器件具有供应商器件包的14-PDIP，配置为Quad，FET类型为4 P通道，匹配对，最大功率为500mW，晶体管类型为4 P-通道，漏极到源极电压Vdss为10.6V，输入电容Cis-Vds为3pF@5V，FET特性为标准，Rds On最大Id Vgs为1800 Ohm@5V，Vgs th最大Id为1V@1μA，Pd功耗为500 mW，最大工作温度范围为+70 C，最小工作温度范围0 C，Vgs栅极-源极电压为-13.2 V，Id连续漏极电流为-2 mA，Vds漏极-源极击穿电压为-12 V，Rds漏极-源极电阻为1.8千欧姆，晶体管极性为P沟道，正向跨导最小值为0.00067 S，沟道模式为增强。
ALD1106PBL是MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP，包括1V@1μA Vgs th Max Id，它们设计用于13.2 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于12 V，提供单位重量功能，如0.057144盎司，晶体管类型设计用于4 N沟道，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作Si技术。此外，供应商设备包为14-PDIP，该设备为ALD1106P系列，该设备具有500欧姆@5V的Rds On Max Id Vgs，Rds On Drain Source电阻为350欧姆，最大功率为500mW，Pd功耗为500mW，包装箱为14-DIP（0.300“，7.62mm），工作温度范围为0°C~70°C（TJ），通道数为4通道，安装类型为通孔，安装类型是通孔，最小工作温度范围为0 C，最大工作温度范围+70 C，输入电容Ciss Vds为3pF@5V，Id连续漏电流为4.8 mA，正向跨导最小值为0.0018 S，FET类型为4 N通道，匹配对，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为10.6V，配置为Quad，通道模式为增强。
ALD1106SBL是MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC，包括10.6V漏极到源极电压Vdss，它们设计为与标准FET功能一起工作，FET类型如数据表注释所示，用于4N通道匹配对，提供输入电容Cis-Vds功能，如3pF@5V，安装类型设计为在表面安装中工作，它的工作温度范围为0°C~70°C（TJ），该器件也可用作14-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒。此外，封装为管形，该器件的最大功率为500mW，该器件具有500欧姆@5V的Rds On Max Id Vgs，供应商器件封装为14-SOIC，Vgs th Max Id为1V@1μa。
