9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI1553CDL-T1-BE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI1553CDL-T1-BE3参考价格为0.52000美元。Vishay Siliconix SI1553CDL-T1-BE3封装/规格：MOSFET N/P-CH 20V SC70-6。您可以下载SI1553CDL-T1-BE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI1551DL-T1-E3是MOSFET N/P-CH 20V SC70-6，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR封装，数据表说明中显示了用于6-TSSOP、SC-88、SOT-363的封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，该器件也可以用作N和P沟道FET型。此外，最大功率为270mW，该器件提供20V漏极到源极电压Vdss，该器件具有FET功能的逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为290mA、410mA，最大Id Vgs的Rds为1.9 Ohm@290mA、4.5V，Vgs最大Id为1.5V@250μa，栅极电荷Qg Vgs为1.5nC@4.5V。
Si1551DL-T1-GE3是MOSFET N/P-CH 20V SC70-6，包括1.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与SC-70-6（SOT-363）供应商设备包一起工作，系列如数据表说明所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如1.9 Ohm@290mA，4.5V，Power Max设计为270mW，以及Digi-ReelR封装，该器件也可以用作6-TSSOP、SC-88、SOT-363封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有1.5nC@4.5V的栅极电荷Qg Vgs，FET类型为N和P沟道，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，25°C的电流连续漏电流Id为290mA、410mA。
SI1551DL-TI-E3，带有VISHAY制造的电路图。SI1551DL-TI-E3采用SOT363封装，是IC芯片的一部分。
