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BUK9K32-100EX，带引脚细节，包括TrenchMOS？系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供SOT-1205、8-LFPAK56等封装盒功能，技术设计用于Si，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该设备也可用作表面安装安装类型。此外，信道数为2信道，该设备在LFPAK56D供应商设备包中提供，该设备具有双重配置，FET类型为2 N信道（双重），最大功率为64W，晶体管类型为2 N-信道，漏极至源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为3168pF@25V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为26A，最大Id Vgs的Rds为31mOhm@5A，10V，Vgs最大Id为2.1V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为27.3nC@5V，Pd功耗为64W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为23.1 ns，上升时间为22 ns，Vgs栅极-源极电压为15V，Id连续漏极电流为26A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs第栅极-源阈值电压为1.7V，Rds导通漏极-漏极电阻为26.6mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为39.5ns，典型导通延迟时间为12.6ns，Qg栅极电荷为27.3nC，信道模式为增强。
BUK9K45-100E带用户指南，包括2.1V@1mA Vgs th Max Id，设计用于LFPAK56D供应商设备包，系列如数据表注释所示，用于汽车、AEC-Q101、TrenchMOS？、？，提供Rds On Max Id Vgs功能，例如42 mOhm@5A，10V，Power Max设计为工作在53W，以及Digi-ReelR替代包装包装，该设备也可以用作SOT-1205，8-LFPAK56包装箱，其工作温度范围为-55°C ~ 175°C（TJ），该器件具有2152pF@25V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg-Vgs为33.5nC@10V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极-源极电压Vdss为100V，电流连续漏极Id 25°C为21A。
BUK9K29-100E，115带电路图，包括30A电流连续漏极Id 25°C，设计用于100V漏极到源极电压Vdss，数据表注释中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计用于54nC@10V，以及3491pF@25V输入电容Cis Vds，该设备也可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该设备采用SOT-1205，8-LFPAK56封装盒，该设备具有Digi-ReelR替代封装，最大功率为68W，Rds On Max Id Vgs为27mOhm@10A，10V，系列为汽车，AEC-Q101，TrenchMOS？，供应商设备包为LFPAK56D，Vgs th Max Id为2.1V@1mA。
BUK9K35-60E，115，带EDA/CAD型号，包括表面安装型，设计用于SOT-1205，8-LFPAK56封装外壳，FET功能如数据表注释所示，用于逻辑电平门，提供供应商设备封装功能，如LFPAK56D，封装设计用于Digi-ReelR替代封装，以及汽车、AEC-Q101、TrenchMOS？系列，该器件也可用作60V漏极到源极电压Vdss，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该器件的最大功率为38W，该器件具有32 mOhm@5A，10V Rds On Max Id Vgs，电流连续漏极Id 25°C为22A，Vgs th Max Id为2.1V@1mA，FET类型为2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs为14.2nC@110V，输入电容Cis-Vds为1081pF@25V。
