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FDS4501H

  • 描述:场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30V, 20V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.3A, 5.6A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌:
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 450

数量 单价 合计
450+ 4.85274 2183.73435
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 制造厂商
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 场效应管类型 N和P通道
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 最大功率 1W
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 漏源电压标 (Vdss) 30V, 20V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 27nC @ 4.5V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 9.3A, 5.6A
  • 导通电阻 Rds(ON) 18毫欧姆@9.3A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 10伏时为1958华氏度

FDS4501H 产品详情

PowerTrench®双N/P沟道MOSFET,Fairchild半导体

PowerTrench®MOSFET是经过优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。它们结合了小栅极电荷(Qg)、小反向恢复电荷(Qrr)和软反向恢复体二极管,有助于快速切换AC/DC电源中的同步整流。
最新的PowerTrench®MOSFET采用了提供电荷平衡的屏蔽栅极结构。通过利用这一先进技术,这些设备的FOM(品质因数)显著低于上一代设备。
PowerTrench®MOSFET的软体二极管性能能够消除缓冲电路或更换更高额定电压的MOSFET。

特色

  • Q1 N通道9.3A,最大30V。VGS=10 V时RDS(开启)=18 mΩ,VGS=4.5 V时RDS最大值(开启)=23 mΩ
  • Q2 P通道-5.6A,最大值-20V。RDS(开启)=46 mΩ,VGS=-4.5 VMax。RDS(开启)=63 mΩ,VGS=-2.5 V

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
  • DC/DC转换器
  • 电源管理
  • 负载开关
  • 蓄电池保护
FDS4501H所属分类:场效应晶体管阵列,FDS4501H 由 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDS4501H价格参考¥4.852743,你可以下载 FDS4501H中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDS4501H规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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