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IRF6802SDTR1PBF是MOSFET 2N-CH 25V 16A SA，包括HEXFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，数据表注释中显示了用于DirectFET的封装盒？等距SA，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装和DIRECTFET？SA供应商设备包，该设备也可以用作2 N沟道（双）FET类型。此外，功率最大值为1.7W，该器件提供25V漏极到源极电压Vdss，该器件具有1350pF@13V的输入电容Cis-Vds，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为16A，最大Id Vgs上的Rds为4.2mOhm@16A，10V，Vgs最大Id为2.1V@35μa，栅极电荷Qg-Vgs为13nC@4.5V。
IRF6798MTR1PBF是由IR制造的MOSFET N-CH 25V 37A DIRECTFET-MX™ Isometric MX封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 25V 37A DIRECTFET-MX、N沟道25V 37B（Ta）、197A（Tc）2.8W（Ta）和78W（Tc）表面安装DIRECTFET？MX之间。
IRF6798MTRPBF是由IR制造的MOSFET N-CH 25V 37A DIRECTFET-MX™ Isometric MX封装是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 25V 37A DIRECTFET-MX、Trans MOSFET N-CH-Si 25V 37B 7引脚直接FET MX T/R。
