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STS1DNC45

  • 描述:场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 450伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 400毫安 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 16.44138 16.44138
10+ 14.76827 147.68273
100+ 11.86894 1186.89400
500+ 9.75140 4875.70300
1000+ 8.86494 8864.94700
2500+ 8.86494 22162.36750
  • 库存: 85
  • 单价: ¥14.92037
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥16.44
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 400毫安
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 场效应管特性 标准
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 场效应管类型 2个N通道(双通道)
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 10nC @ 10V
  • 最大功率 1.6瓦
  • 漏源电压标 (Vdss) 450伏
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 导通电阻 Rds(ON) 4.5欧姆 @ 500毫安, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.7V @ 250A
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 25伏时160华氏度

STS1DNC45 产品详情

SuperMESH系列是通过对STs基于条带的PowerMESH布局进行极端优化而获得的。除了显著降低电阻外,还要特别注意确保在最苛刻的应用中具有非常好的dv/dt能力。该系列补充了ST全系列高压MOSFET,包括革命性的MDmesh产品。

特色

  • TYPICALRDS(开)=4.1
  • 门电荷最小化
  • 自动表面安装组件的标准外形
STS1DNC45所属分类:场效应晶体管阵列,STS1DNC45 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STS1DNC45价格参考¥14.920374,你可以下载 STS1DNC45中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STS1DNC45规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

意法半导体 (STMicroelectronics)

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