SI1926DL-T1-GE3
- 描述:场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 370毫安 供应商设备包装: SC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 3.11444 | 3.11444 |
| 10+ | 2.68711 | 26.87116 |
| 100+ | 2.00773 | 200.77320 |
| 500+ | 1.57750 | 788.75200 |
| 1000+ | 1.21898 | 1218.98000 |
| 3000+ | 1.11142 | 3334.26900 |
| 6000+ | 1.07557 | 6453.42600 |
- 库存: 0
- 单价: ¥3.11445
-
数量:
- +
- 总计: ¥3.11
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 部件状态 可供货
- 安装类别 表面安装
- 场效应管特性 逻辑电平门
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 包装/外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 场效应管类型 2个N通道（双通道）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
- 最大功率 510mW
- 制造厂商 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 漏源电压标 (Vdss) 60V
- 供应商设备包装 SC-70-6
- 漏源电流 (Id) @ 温度 370毫安
- 导通电阻 Rds(ON) 1.4欧姆@340毫安，10伏
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 1.4nC @ 10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 18.5华氏度@30伏
SI1926DL-T1-GE3 产品详情
双N沟道MOSFET，Vishay半导体
SI1926DL-T1-GE3 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | SI1133-AA00-GMR | 芯科 (Silicon) | 种类: 环境，紫外线（UV） 输出类别: IOC 工作波长: 625nm, 525nm, 460nm 电源电压: 1.62V~3.6V 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 包装/外壳: 10-WFQFN | ¥37.17717 |
 | SI1141-A11-GMR | 芯科 (Silicon) | 种类: 周围的 输出类别: IOC 电源电压: 1.71V~3.6V 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 包装/外壳: 10-WFQFN | ¥50.91759 |
 | SI1143-A11-GMR | 芯科 (Silicon) | 种类: 周围的 输出类别: IOC 电源电压: 1.71V~3.6V 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 包装/外壳: 10-WFQFN | ¥69.24212 |
 | SI1153-AB9X-GM | 芯科 (Silicon) | 种类: 环境，手势 输出类别: IOC 工作波长: 940纳米 电源电压: 1.62V~3.6V 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 包装/外壳: 10-LLGA | ¥46.03138 |
 | SI1133-AA00-GM | 芯科 (Silicon) | 种类: 环境，紫外线（UV） 输出类别: IOC 工作波长: 625nm, 525nm, 460nm 电源电压: 1.62V~3.6V 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 包装/外壳: 10-WFQFN | ¥17.67689 |
 | SI1146-A10-GMR | 芯科 (Silicon) | 种类: 环境，紫外线（UV） 输出类别: IOC 工作波长: 850nm 电源电压: 1.71V~3.6V 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 包装/外壳: 10-WFQFN | ¥44.83355 |
 | SI1151-AB00-GMR | 芯科 (Silicon) | 种类: 环境，手势 输出类别: IOC 工作波长: 940纳米 电源电压: 1.62V~3.6V 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 包装/外壳: 10-WFQFN | ¥13.96706 |
 | SI1152-AB00-GMR | 芯科 (Silicon) | 种类: 环境，手势 输出类别: IOC 工作波长: 940纳米 电源电压: 1.62V~3.6V 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 包装/外壳: 10-WFQFN | ¥15.81672 |
 | SI1132-A10-GMR | 芯科 (Silicon) | 种类: 环境，紫外线（UV） 输出类别: IOC 电源电压: 1.71V~3.6V 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 包装/外壳: 10-WFQFN | ¥29.33375 |
 | SI1151-AB09-GMR | 芯科 (Silicon) | 种类: 环境，手势 输出类别: IOC 工作波长: 940纳米 电源电压: 1.62V~3.6V 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 包装/外壳: 10-WFQFN | ¥17.65457 |
SI1926DL-T1-GE3所属分类：场效应晶体管阵列，SI1926DL-T1-GE3 由 黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SI1926DL-T1-GE3价格参考￥3.114447，你可以下载 SI1926DL-T1-GE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SI1926DL-T1-GE3规格参数、现货库存、封装信息等信息！
黑森尔 (Vishay Siliconix)
Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体（二极管、MOSFET和光电子）和无源元件（电阻器、电感器和电容器）的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型...
