9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI5504BDC-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI5504BDC-T1-GE3参考价格为1.05000美元。Vishay Siliconix SI5504BDC-T1-GE3封装/规格：MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8。您可以下载SI5504BDC-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI5504BDC-T1-E3是MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI5504BDC E3的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.002998盎司，安装样式设计为在SMD/SMT以及8-SMD扁平引线封装外壳中工作，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有2个通道数，供应商器件封装为1206-8 ChipFET？，配置为1个N通道1个P通道，FET类型为N和P通道，最大功率为3.12W、3.1W，晶体管类型为1个N-通道1个P-通道，漏极到源极电压Vdss为30V，输入电容Cis Vds为220pF@15V，FET特性为逻辑电平门，25°C时电流连续漏极Id为4A、3.7A，最大Id Vgs为65mOhm@3.1A、10V，Vgs的最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为7nC@10V，Pd功耗为3.1W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5 nS 5 nS，上升时间为12 nS 10 nS，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为4 A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为53mOhms 112mOhms，晶体管极性为N沟道P沟道，典型关断延迟时间为10nS 10nS，典型接通延迟时间为4nS 4nS，Qg栅极电荷为4.5nC 4.5nC，正向跨导最小值为5S 3.5S，沟道模式为增强型。
带有用户指南的SI-55003-F，包括焊料终端，它们设计为以上突片方向操作。数据表注释中显示了屏蔽，用于屏蔽EMI手指，提供MagJackR ST SI-50000等系列功能，包装设计为在托盘中工作，以及90°角（右）方向，设备也可以用作1行。此外，端口数量为1，设备提供4芯/插孔，设备具有安装型通孔，LED颜色为绿色-黄色，板上高度为0.550”（13.97mm），功能为板导，触点材料为铜合金，触点表面为金色，连接器类型为RJ45，应用为10/100 Base-T，AutoMDIX。
SI-55004-F是CONN MAGJACK 1PORT 100 BASE-T，包括10/100 BASE-T、AutoMDIX应用程序，它们设计为与RJ45连接器类型一起工作，数据表注释中显示了用于Gold的触点表面处理，提供了铜合金等触点材料功能，功能设计用于Board Guide，除了0.550“（13.97mm）的板上高度外，该设备还可以用作绿色-黄色LED颜色。此外，安装类型为通孔，每个插孔提供4个芯，该设备有1个端口，行数为1，方向为90°角（右），包装为托盘，系列为MagJackR ST SI-50000，屏蔽为屏蔽，EMI指状，接线片方向为向上，终端为焊接。
