9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7216DN-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7216DN-T1-GE3参考价格为1.74000美元。Vishay Siliconix SI7216DN-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8。您可以下载SI7216DN-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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Si7216DN-T1-E3是MOSFET 2N-CH 40V 6A 1212-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，数据表注释中显示了用于Si7216DN-E3的零件别名，该Si7216DN-13提供了SMD/SMT等安装样式功能，封装盒设计为在PowerPAKR 1212-8 Dual以及Si技术中工作，其工作温度范围为-50°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有PowerPAKR 1212-8双重供应商器件封装，配置为双重，FET类型为2 N通道（双重），最大功率为20.8W，晶体管类型为2 N-通道，漏极至源极电压Vdss为40V，输入电容Cis-Vds为670pF@220V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为6A，最大Id Vgs上的Rds为32 mOhm@5A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为19nC@10V，Pd功耗为2.5 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-50 C，下降时间为7 ns 5 ns，上升时间为142纳秒57纳秒，Vgs栅极-源极电压为20伏特，Id连续漏极电流为6.5安培，Vds漏极-源极击穿电压为40伏特，Rds导通漏极-漏极电阻为32毫欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为16纳秒19纳秒，典型接通延迟时间为16ns 9纳秒，沟道模式为增强型。
SI7214DN-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 1212-8，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在20 V Vgs栅极-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于30 V，提供典型的开启延迟时间功能，如7 ns，典型的关闭延迟时间设计为19 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件采用PowerPAKR 1212-8双供应商器件封装，该器件具有串联的TrenchFETR，上升时间为10ns，Rds On Max Id Vgs为40mOhm@6.4A，10V，Rds On Drain Source Resistance为40mOhms，功率最大值为1.3W，Pd功耗为1.3W。部件别名为SI7214DN-GE3，包装为磁带和卷轴（TR），包装盒为PowerPAKR 1212-8 Dual，其工作温度范围为-55°C～150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最小工作温度范围是-55°，最大工作温度范围+150°C，Id连续漏极电流为4.6 A，栅极电荷Qg Vgs为6.5nC@4.5V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，下降时间为6 ns，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为4.6A，配置为双，沟道模式为增强。
SI7216DN，带有VISHAY制造的电路图。SI7216DN采用QFN封装，是FET阵列的一部分。
