9icnet为您提供由其他公司设计和生产的FDB12N50UTM，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDB12N50UTM参考价格为0.83000美元。其他FDB12N50UTM封装/规格：MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK。您可以下载FDB12N50UTM英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDB12N50FTM_WS带有引脚细节，包括卷筒包装，设计用于0.046296盎司单位重量，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供165 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为35 ns，上升时间为45 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏电流为11.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Rds漏极源极导通电阻为590mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为50ns，典型接通延迟时间为21ns，沟道模式为增强。
FDB12N50TM是MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在500 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.046296盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如25 ns，典型的关闭延迟时间设计为45 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为60 ns，器件的漏极-源极电阻为550 mOhms，Pd功耗为165 W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为11.5 A，下降时间为35 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
FDB12N50FTM，电路图由FSC制造。FDB12N50FTM在TO-263封装中提供，是FET的一部分-单个。
FDB12N50T，带有FAIRCHILD制造的EDA/CAD模型。FDB12N50T采用TO-263封装，是FET的一部分-单个。
