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BUK7V4R2-40HX

  • 描述:场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 98A(Ta) 供应商设备包装: LFPAK56D 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安世半导体 (Nexperia)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 20.64226 20.64226
10+ 18.51285 185.12852
100+ 14.87908 1487.90890
500+ 12.22485 6112.42800
1500+ 10.47844 15717.67200
  • 库存: 0
  • 单价: ¥18.17968
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥20.64
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 2 N通道(半桥)
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 安世半导体 (Nexperia)
  • 场效应管特性 标准
  • 漏源电压标 (Vdss) 40伏
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 包装/外壳 SOT-1205,8-LFPAK56
  • 供应商设备包装 LFPAK56D
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 98A(Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 4.2毫欧姆 @ 20A, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.6V @ 1毫安
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 37nC @ 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2590皮法@25伏
  • 最大功率 85W (Ta)

BUK7V4R2-40HX 产品详情

Nexperia的Trench 9系列功率MOSFET主要针对汽车行业,将公司的低压超结技术与其先进的封装能力相结合,以提供高性能和耐用性。Nexperia正在扩大其汽车合格Power-SO8 MOSFET的产品组合,以包括超低RDS(on)部件,以满足许多典型汽车应用中对更高功率密度的不断增长的需求。Trench 9器件均通过AEC-Q101认证,在关键可靠性测试(包括温度循环、高温栅极偏置、高温反向偏置和间歇性工作寿命)中超过了该国际汽车标准的两倍之多。
BUK7V4R2-40HX所属分类:场效应晶体管阵列,BUK7V4R2-40HX 由 安世半导体 (Nexperia) 设计生产,可通过久芯网进行购买。BUK7V4R2-40HX价格参考¥18.179679,你可以下载 BUK7V4R2-40HX中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询BUK7V4R2-40HX规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安世半导体 (Nexperia)

安世半导体 (Nexperia)

Nexperia是大批量生产基本半导体的领先专家,这些半导体是世界上每一种电子设计所需的元件。该公司广泛的产品组合包括二极管、双极晶体管、ESD保护装置、MOSFET、GaN FET以及模拟和逻辑IC。...

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