9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SQ4940AEY-T1_BE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SQ4940AEY-T1_BE3参考价格为1.05000美元。Vishay Siliconix SQ4940AEY-T1_BE3封装/规格：MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC。您可以下载SQ4940AEY-T1_BE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SQ4940AEY-T1_GE3，带引脚细节，包括Automotive、AEC-Q101、TrenchFETR系列，它们设计用于带卷（TR）包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于TrenchFET，除了8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C ~ 175°C（TJ），该器件采用表面安装安装型，该器件具有供应商器件封装的8-SOIC，配置为双路，FET类型为2 N沟道（双路），功率最大值为4W，漏极-源极电压Vdss为40V，输入电容Cis-Vds为741pF@20V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为8A，最大Id Vgs上的Rds为24 mOhm@5.3A，10V，Vgs最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为43nC@10V，Pd功耗为4 W，它的最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-55 C，下降时间为9 ns，上升时间为13 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为8 A，Vds漏极-源极击穿电压为40 V，Vgs第二栅极-源极端电压为2 V，Rds漏极源极电阻为24 mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为20ns，典型接通延迟时间为8ns，Qg栅极电荷为28.4nC。
SQ4937EY-T1_GE3带有用户指南，其中包括TrenchFET商品名，它们设计用于使用Si技术，数据表说明中显示了用于SQ系列的系列，该系列提供了卷盘等包装功能。
SQ4936EY-T1-GE3，电路图由VISHAY/SILICONIX制造。SQ4936EY-T1-GE3在SOP-8封装中提供，是IC芯片的一部分。
SQ4937EY-T1-GE3，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SQ4937EY-T1-GE3采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
