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STL8DN6LF6AG

  • 描述:场效应管类型: 2个N通道(双通道) 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Tc) 供应商设备包装: PowerFlat(5x6) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 12.45778 12.45778
10+ 11.14682 111.46823
100+ 8.69292 869.29290
500+ 7.18133 3590.66750
1000+ 6.01305 6013.05600
3000+ 6.01305 18039.16800
  • 库存: 0
  • 单价: ¥9.99520
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥12.46
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管特性 -
  • 漏源电压标 (Vdss) -
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
  • 最大功率 -
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管类型 2个N通道(双通道)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 包装/外壳 8-PowerVDFN
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 32A (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 27毫欧姆@9.6A,10V
  • 供应商设备包装 PowerFlat(5x6)

STL8DN6LF6AG 产品详情

该器件是使用STripFET F3技术开发的双N沟道功率MOSFET。它被设计为最小化导通电阻和栅极电荷,以提供优异的开关性能。

特色

  • AEC-Q101合格
  • 逻辑级VGS(th)
  • 175°C交界温度
  • 100%雪崩
  • 可湿侧包装
STL8DN6LF6AG所属分类:场效应晶体管阵列,STL8DN6LF6AG 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STL8DN6LF6AG价格参考¥9.995202,你可以下载 STL8DN6LF6AG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STL8DN6LF6AG规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

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