该器件是使用STripFET F3技术开发的双N沟道功率MOSFET。它被设计为最小化导通电阻和栅极电荷,以提供优异的开关性能。
特色
- AEC-Q101合格
- 逻辑级VGS(th)
- 175°C交界温度
- 100%雪崩
- 可湿侧包装
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 12.45778 | 12.45778 |
10+ | 11.14682 | 111.46823 |
100+ | 8.69292 | 869.29290 |
500+ | 7.18133 | 3590.66750 |
1000+ | 6.01305 | 6013.05600 |
3000+ | 6.01305 | 18039.16800 |
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该器件是使用STripFET F3技术开发的双N沟道功率MOSFET。它被设计为最小化导通电阻和栅极电荷,以提供优异的开关性能。
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