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BUK7K52-60EX，带有引脚细节，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计为与BUK7K12-60E115零件别名一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供SOT-1205、8-LFPAK56等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为2信道，该设备在LFPAK56D供应商设备包中提供，该设备具有双重配置，FET类型为2 N信道（双重），最大功率为32W，晶体管类型为2 N-信道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为535pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为15.4A，最大Id Vgs的Rds为45 mOhm@5A，10V，Vgs最大Id为4V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为9.2nC@10V，Pd功耗为32 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5.4 ns，上升时间为5.1 ns，并且Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为15.4A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs第h栅极-源阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为45m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为8.4ns，典型导通延迟时间为4.3ns，Qg栅极电荷为9.2nC，信道模式是增强。
BUK7K6R2-40EX带有用户指南，包括4V@1mA Vgs th Max Id，它们设计为在3 V Vgs th栅极-源极阈值电压下工作，数据表注释中显示了用于20 V的Vgs栅极-源电压，提供Vds漏极-源极击穿电压功能，如40 V，典型开启延迟时间设计为9.5 ns，以及21 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作2N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有供应商器件封装的LFPAK56D，上升时间为16ns，Rds On Max Id Vgs为5.8mOhm@20A、10V，Rds On漏极-源极电阻为5.8mohm，Qg栅极电荷为32.3nC，功率最大值为68W，Pd功耗为68W。零件别名为BUK7K6R2-40E115，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为SOT-1205，8-LFPAK56，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），通道数为2通道，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，其最小工作温度范围是-55 C，最大工作温度范围+175 C，输入电容Ciss Vds为2210pF@25V，Id连续漏极电流为40A，栅极电荷Qg Vgs为32.3nC@10V，FET类型为2N通道（双通道），FET特性为标准，下降时间为17ns，漏极到源极电压Vdss为40V，电流连续漏极Id为25°C，40A，配置为双通道，通道模式为增强型。
BUK7K5R1-30E，115是MOSFET 2N-CH 30V 40A LFPAK56D，包括40A电流连续漏极Id 25°C，设计用于30V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计用于31.1nC@10V，除了2352pF@25V输入电容Ciss Vds，该设备也可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 175°C（TJ），该设备采用SOT-1205，8-LFPAK56封装盒，该设备具有Digi-ReelR交替封装，最大功率为68W，最大Id Vgs上的Rds为5.1 mOhm@10A，10V，系列为汽车，AEC-Q101，TrenchMOS？，供应商设备包为LFPAK56D，Vgs th Max Id为4V@1mA。
BUK7K5R6-30E，115，带EDA/CAD型号，包括表面安装安装型，设计用于标准FET功能，数据表说明中显示了用于SOT-1205，8-LFPAK56的封装盒，该SOT-1205提供LFPAK56D等供应商设备封装功能，封装设计用于Digi-ReelR替代封装，以及汽车、AEC-Q101、TrenchMOS？系列，该器件也可作为64W功率最大值使用，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该器件提供5.6 mOhm@25A，10V Rds On Max Id Vgs，该器件具有4V@1mA Vgs th Max Id，电流连续漏极Id 25°C为40A，漏极到源极电压Vdss为30V，栅极电荷Qg Vgs为29.7nC@10V，FET类型为2 N通道（双），输入电容Cis-Vds为1969pF@25V。
