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FDB120N10是MOSFET NCH 100V 74A D2PAK，包括卷轴封装，它们设计为单位重量0.046296盎司，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供170 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为15 ns，上升时间为105 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为74 A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds漏极漏极-漏极电阻为9.7欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为39ns，典型接通延迟时间为27ns，正向跨导最小值为105S，沟道模式为增强。
FDB110N15A是MOSFET N-CH 150V 92A D2PAK，包括4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于150 V，提供单位重量功能，如0.046296盎司，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，上升时间为26 ns，器件提供9.25 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有47 nC的Qg栅极电荷，Pd功耗为234 W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，Id连续漏极电流为92 a，正向跨导最小值为118 S，下降时间为14ns。
FDB12N50F，带有FAIRCHILD制造的电路图。FDB12N50F采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
