该功率MOSFET是使用STripFET工艺开发的,该工艺专门设计用于最小化输入电容和栅极电荷。这使得该器件适合用作电信和计算机应用以及具有低栅极电荷驱动要求的应用的高级高效隔离DC-DC转换器中的主开关。
特色
- AEC-Q101合格
- 低阈值驱动
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 12.02321 | 12.02321 |
10+ | 10.79192 | 107.91921 |
100+ | 8.67192 | 867.19240 |
500+ | 7.12469 | 3562.34800 |
1000+ | 6.47696 | 6476.96300 |
2500+ | 6.47696 | 16192.40750 |
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该功率MOSFET是使用STripFET工艺开发的,该工艺专门设计用于最小化输入电容和栅极电荷。这使得该器件适合用作电信和计算机应用以及具有低栅极电荷驱动要求的应用的高级高效隔离DC-DC转换器中的主开关。
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