该器件是使用STripFET F3技术开发的双N沟道功率MOSFET。它被设计为最小化导通电阻和栅极电荷,以提供优异的开关性能。
特色
- AEC-Q101合格
- 逻辑级VGS(th)
- 175°C交界温度
- 100%雪崩
- 可湿侧包装
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 15.13766 | 15.13766 |
10+ | 13.60216 | 136.02166 |
100+ | 10.93243 | 1093.24330 |
500+ | 8.98177 | 4490.88750 |
1000+ | 8.16528 | 8165.28300 |
3000+ | 8.16528 | 24495.84900 |
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该器件是使用STripFET F3技术开发的双N沟道功率MOSFET。它被设计为最小化导通电阻和栅极电荷,以提供优异的开关性能。
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