9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SQ4284EY-T1_GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SQ4284EY-T1_GE3参考价格$1.70000。Vishay Siliconix SQ4284EY-T1_GE3封装/规格：MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC。您可以下载SQ4284EY-T1_GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SQ4284EY-T1_GE3，带引脚细节，包括Automotive、AEC-Q101、TrenchFETR系列，它们设计用于带卷（TR）包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.017870盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于TrenchFET，除了8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C ~ 175°C（TJ），该器件采用表面安装安装型，该器件具有8-SO供应商器件封装，配置为双，FET类型为2 N沟道（双），功率最大值为3.9W，漏极至源极电压Vdss为40V，输入电容Cis-Vds为2200pF@25V，FET特性为逻辑电平门，Rds On Max Id Vgs为13.5mOhm@7A，10V，Vgs th Max Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为45nC@10V，Pd功耗为3.9 W，其最大工作温度范围为+175 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为11纳秒，上升时间为40纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为8 A，Vds漏极-源极击穿电压为40 V，第Vgs栅极源极阈值电压为2 V，Rds漏极源极电阻为13.5毫欧，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为32ns，典型接通延迟时间为10ns，Qg栅极电荷为30nC。
SQ4184EY-T1_GE3带用户指南，包括40 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计用于N沟道晶体管极性，商品名显示在数据表注释中，用于提供Si等技术特性的TrenchFET，该系列设计用于SQ系列以及卷筒包装，其最大工作温度范围为+175 C。
SQ3D03200D2IBA，电路图由三星制造。SQ3D03200D2IBA采用SMD封装，是IC芯片的一部分。
