- 应用范围：负载开关
- 极性：N-ch×2
- 世代：U-MOSⅢ
- 内部连接：独立
- 组件产品（Q1）：SSM3K15AFU
- 组件产品（Q2）：SSM3K15AFU
- RoHS兼容产品（#）：可用
- 组装基地：日本/泰国
特色
- 装配底座：1.5 V
- 装配底座：6.0Ω
- 装配底座：3.6Ω
- 装配底座：13.5 pF
应用
负载开关
SSM6N815R,LF
- 描述:场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门，4V驱动 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A（Ta） 供应商设备包装: 6-TSOP-F 工作温度: 150摄氏度
- 品牌: 东芝 (Toshiba)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 3.40416 | 3.40416 |
| 10+ | 2.89716 | 28.97160 |
| 100+ | 2.16417 | 216.41790 |
| 500+ | 1.70019 | 850.09900 |
| 1000+ | 1.31379 | 1313.79000 |
| 3000+ | 1.19790 | 3593.70900 |
| 6000+ | 1.12062 | 6723.72600 |
- 库存: 0
- 单价: ¥3.40416
-
数量:
- +
- 总计: ¥3.40
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 漏源电压标 (Vdss) 100伏
- 安装类别 表面安装
- 场效应管类型 2个N通道（双通道）
- 制造厂商 东芝 (Toshiba)
- 工作温度 150摄氏度
- 包装/外壳 6-SMD, Flat Leads
- 供应商设备包装 6-TSOP-F
- 漏源电流 (Id) @ 温度 2A（Ta）
- 场效应管特性 逻辑电平门，4V驱动
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 3.1nC @ 4.5V
- 导通电阻 Rds(ON) 103毫欧姆@2A，10V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5V@100A.
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 290华氏度@15伏
- 最大功率 1.8W（Ta）
SSM6N815R,LF 产品详情
SSM6N815R,LF 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
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| SSM1A312F7R | 西屋电气 (Westinghouse) | SOLID STATE RELAY SPST-NO 90-140 | ¥304.78123 |
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| SSM01511500SC | 泰科航天 (TE) | SSM01511500SC = SOLDER CUP | ¥57.69694 |
| SSM01511500SCN | 泰科航天 (TE) | SSM01511500SCN = SOLDER CUP | ¥121.44895 |
| SSM02511500SCQ | 泰科航天 (TE) | SSM02511500SCQ = SOLDER CUP | ¥833.51293 |
| SSM03711500PC | 泰科航天 (TE) | SSM03711500PC = SOLDER CUP | ¥41.83499 |
| SSM00511500PCH | 泰科航天 (TE) | SSM00511500PCH = SOLDER CUP | ¥257.65893 |
 | SSM-103-L-DV-K-TR | 申泰 (Samtec) | 连接端子种类: 插座，穿过 接触头种类: Female Socket 针位数: 6 配接间距: 0.100英寸（2.54毫米） 连接头表面处理: 金 安装类别: 表面安装 | ¥21.07684 |
SSM6N815R,LF所属分类：场效应晶体管阵列，SSM6N815R,LF 由 东芝 (Toshiba) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SSM6N815R,LF价格参考￥3.404163，你可以下载 SSM6N815R,LF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SSM6N815R,LF规格参数、现货库存、封装信息等信息！
东芝 (Toshiba)
东芝电子设备和存储公司提供了一系列支持技术解决方案，使OEM、ODM、CMs和无晶圆厂芯片公司能够为计算、网络、通信、数字消费、汽车和其他市场开发先进的集成产品。
