9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7212DN-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7212DN-T1-GE3价格参考1.64000美元。Vishay Siliconix SI7212DN-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8。您可以下载SI7212DN-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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Si7212DN-T1-E3是MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8，包括Digi-ReelR替代封装封装，它们设计为使用Si7212DN-E3零件别名操作，安装样式如数据表说明所示，用于SMD/SMT，提供封装外壳功能，如PowerPAKR 1212-8 Dual，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为2信道，该器件在PowerPAKR 1212-8双供应商器件包中提供，该器件具有双重配置，FET类型为2 N信道（双重），最大功率为1.3W，晶体管类型为2 N-信道，漏极到源极电压Vdss为30V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为4.9A，Rds最大Id Vgs为36mOhm@6.8A，10V，Vgs最大Id为1.6V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为11nC@4.5V，Pd功耗为1.3W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12ns，上升时间为12s，Vgs栅极-源极电压为12V，并且Id连续漏极电流为4.9A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为36mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为30ns，典型接通延迟时间为10ns，沟道模式为增强。
SI7202A带有SK制造的用户指南。SI7202A采用SIP封装，是IC芯片的一部分。
SI7212DN，带有VISHAY制造的电路图。SI7212DN在SON8封装中提供，是FET阵列的一部分。
