9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4816BDY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4816BDY-T1-GE3参考价格1.72000美元。Vishay Siliconix SI4816BDY-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC。您可以下载SI4816BDY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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Si4816BDY-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC，包括LITTLE FOOTR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI4816DY-T1-E3-S的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.006596盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，除了8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ（半桥），最大功率为1W，1.25W，晶体管类型为2 N沟道，漏极-源极电压Vdss为30V，FET特性为逻辑电平门，25°C时的电流连续漏极Id为5.8A，8.2A，Rds最大Id Vgs为18.5 mOhm@6.8A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为10nC@5V，Pd功耗为1 W 1.25 W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为9 ns，上升时间为9纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为5.8 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，漏极-漏极电阻为15.5 mOhms 9.3 mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为24ns 31ns，典型接通延迟时间为11ns 13ns，信道模式为增强。
SI4816，带有VISHAY制造的用户指南。SI4816采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
SI4816BDY，带有VISHAY制造的电路图。SI4816BDY在SOP-8封装中提供，是FET阵列的一部分。
SI4816BDY-T1-E3，带有VIS制造的EDA/CAD模型。SI4816BDY-T1-E3。SO8封装中提供，是IC芯片的一部分。
