9icnet为您提供由其他公司设计和生产的FDS6990S,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。FDS6990S参考价格为0.94000美元。其他FDS6990S封装/规格:N沟道功率MOSFET。您可以下载FDS6990S英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的,您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系,如FDS6990S价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
FDS6990AS是MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC,包括PowerTrenchR、SyncFET?系列,它们被设计为与Digi-ReelR替代包装包装一起使用。数据表注释中显示了用于FDS6990AS_NL的零件别名,该产品提供单位重量功能,如0.006596盎司,安装样式设计用于SMD/SMT,除了8-SOIC(0.154“,3.90mm宽)封装外壳外,该器件还可以用作硅技术,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ),该器件采用表面安装安装型,该器件具有2个通道数,供应商器件封装为8-SO,配置为双双漏极,FET类型为2 N通道(双),最大功率为900mW,晶体管类型为2 N沟道,漏极至源极电压Vdss为30V,输入电容Cis-Vds为550pF@15V,FET特性为逻辑电平门,电流连续漏极Id 25°C为7.5A,最大Id Vgs上的Rds为22mOhm@7.5A,10V,Vgs最大Id为3V@1mA,栅极电荷Qg-Vgs为14nC@5V,Pd功耗为2W,它的最大工作温度范围为+150℃,最小工作温度范围是-55℃,下降时间为5 ns 8 ns,上升时间为5 ns8 ns,Vgs栅极-源极电压为20 V,Id连续漏极电流为7.5 A,Vds漏极-源极击穿电压为30 V,Rds漏极源极电阻为17 mOhms,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为24ns 14ns,典型接通延迟时间为8ns 9ns,正向跨导最小值为29S,信道模式为增强。
FDS6990AS-NL,带有FAIRCHILD制造的用户指南。FDS6990AS-NL采用SOP-8封装,是IC芯片的一部分。
FDS6990-NL,带有FSC制造的电路图。FDS6990-NL在SOP封装中提供,是IC芯片的一部分。