9icnet为您提供由其他公司设计和生产的FDS6990S，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDS6990S参考价格为0.94000美元。其他FDS6990S封装/规格：N沟道功率MOSFET。您可以下载FDS6990S英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDS6990AS是MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC，包括PowerTrenchR、SyncFET？系列，它们被设计为与Digi-ReelR替代包装包装一起使用。数据表注释中显示了用于FDS6990AS_NL的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.006596盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，除了8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件采用表面安装安装型，该器件具有2个通道数，供应商器件封装为8-SO，配置为双双漏极，FET类型为2 N通道（双），最大功率为900mW，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为550pF@15V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为7.5A，最大Id Vgs上的Rds为22mOhm@7.5A，10V，Vgs最大Id为3V@1mA，栅极电荷Qg-Vgs为14nC@5V，Pd功耗为2W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为5 ns 8 ns，上升时间为5 ns8 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为7.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Rds漏极源极电阻为17 mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为24ns 14ns，典型接通延迟时间为8ns 9ns，正向跨导最小值为29S，信道模式为增强。
FDS6990AS-NL，带有FAIRCHILD制造的用户指南。FDS6990AS-NL采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
FDS6990-NL，带有FSC制造的电路图。FDS6990-NL在SOP封装中提供，是IC芯片的一部分。
