9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4931DY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4931DY-T1-GE3价格参考1.29000美元。Vishay Siliconix SI4931DY-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC。您可以下载SI4931DY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，如SI4931DY-T1-GE3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SI4931DY-T1-E3是MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI4931DY E3的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.006596盎司，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，以及TrenchFET商品名，该器件还可以用作8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒。此外，该技术为硅，其工作温度范围为-55°C～150°C（TJ），该器件具有安装型表面安装，通道数为2通道，供应商器件封装为8-SO，配置为双通道，FET类型为2 P通道（双通道），最大功率为1.1W，晶体管类型为2 P沟道，漏极至源极电压Vdss为12V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为6.7A，最大Id Vgs的Rds为18 mOhm@8.9A，4.5V，Vgs最大Id为1V@350μA，栅极电荷Qg Vgs为52nC@4.5V，Pd功耗为1.1W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为46 ns，上升时间为46纳秒，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为6.7 A，Vds漏极-源极击穿电压为-12 V，Rds漏极源极电阻为18 mΩ，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为230ns，典型接通延迟时间为25ns，信道模式为增强。
SI4927DY-T1-E3，带有FSC制造的用户指南。SI4927DY-T1-E3采用SOP封装，是IC芯片的一部分。
SI4931DY-T1/E3，带有VISHAY制造的电路图。SI4931DY-T1/E3采用SO-8封装，是FET阵列的一部分。
