IRF7341TRPBF

Name: IRF7341TRPBF
Brand: 台舟 (TECH PUBLIC)
SKU: 7117984-IRF7341TRPBF
Price: 3.499646 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 逻辑电平门漏源电压标 (Vdss): 55V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.7A 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 台舟 (TECH PUBLIC)
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1+	2.00015	2.00015
10+	1.60290	16.02904
30+	1.43264	42.97938
100+	1.22014	122.01460
600+	1.12556	675.33660
1200+	1.06881	1282.57560

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规格参数

部件状态可供货
安装类别表面安装
场效应管特性逻辑电平门
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
供应商设备包装 8-SO
场效应管类型 2个N通道（双通道）
最大功率 2W
制造厂商台舟 (TECH PUBLIC)
漏源电流 (Id) @ 温度 4.7A
漏源电压标 (Vdss) 55V
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 36nC @ 10V
导通电阻 Rds(ON) 50毫欧姆 @ 4.7A, 10V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 740皮法 @ 25V

IRF7341TRPBF 产品详情

N沟道功率MOSFET 55V，英飞凌

英飞凌的一系列分立HEXFET®功率MOSFET包括表面安装的N沟道器件和引线封装以及可以解决几乎任何电路板布局和热设计挑战的形状因素。在整个范围内，电阻基准降低了传导损耗，使设计人员能够提供最佳的系统效率。

特色

符合RoHS
低RDS（打开）
动态dv/dt额定值
快速切换
双N沟道MOSFET

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IRFZ34NPBF	英飞凌 (Infineon)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 29A（Tc）最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥7.89476

IRF7341TRPBF所属分类：场效应晶体管阵列，IRF7341TRPBF 由台舟 (TECH PUBLIC) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IRF7341TRPBF价格参考￥3.499646，你可以下载 IRF7341TRPBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRF7341TRPBF规格参数、现货库存、封装信息等信息！