9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTM100H45STG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTM100H45STG参考价格171.89000美元。微芯片技术APTM100H45STG封装/规格：MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4。您可以下载APTM100H45STG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APTM100H35FT3G带有引脚细节，包括散装封装，设计用于SP3封装外壳，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），提供底盘安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于SP33以及4 N通道（H桥）FET类型，该设备也可用于390W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为1000V（1kV），该器件以5200pF@25V输入电容Cis-Vds提供，该器件具有FET特性标准，25°C的电流连续漏极Id为22A，最大Id Vgs的Rds为420 mOhm@11A，10V，Vgs th最大Id为5V@2.5mA，栅极电荷Qg Vgs为186nC@10V。
APTM100H35FTG带用户指南，包括5V@2.5mA Vgs th Max Id，它们设计用于SP4供应商设备包，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，用于420 mOhm@11A，10V，提供功率最大功能，如390W，包装设计用于散装，以及SP4包装箱，其工作温度范围为-40°C ~ 150°C（TJ）。此外，安装类型为底盘安装，该器件提供5200pF@25V输入电容Cis-Vds，该器件具有186nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为4 N沟道（H桥），FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为1000V（1kV），25°C的电流连续漏极Id为22A。
APTM100H45FT3G是MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP3，包括18A电流连续漏极Id 25°C，设计用于1000V（1kV）漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了标准中使用的FET特性，该标准提供FET类型特性，如4 N沟道（H桥），栅极电荷Qg Vgs设计用于154nC@10V，除了4350pF@25V输入电容Cis Vds，该设备还可以用作底盘安装安装型，其工作温度范围为-40°C ~ 150°C（TJ），该设备采用SP3封装盒，该设备具有大量封装，最大功率为357W，Rds On Max Id Vgs为540 mOhm@9A，10V，供应商设备封装为SP3，Vgs th Max Id为5V@2.5mA。
