9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SQ4920EY-T1_GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SQ4920EY-T1_GE3参考价格1.73000美元。Vishay Siliconix SQ4920EY-T1_GE3封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO。您可以下载SQ4920EY-T1_GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SQ4920EY-T1_GE3，带引脚细节，包括TrenchFETR系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于TrenchFET，除了8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C ~ 175°C（TJ），该器件采用表面安装安装型，该器件具有8-SO供应商器件封装，配置为双，FET类型为2 N沟道（双），功率最大值为4.4W，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为1465pF@15V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为8A，最大Id Vgs上的Rds为14.5mOhm@6A、10V，Vgs最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为30nC@10V，Pd功耗为4.4W，它的最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为8 ns，上升时间为10 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为7.2 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Vgs第h栅极-源极端电压为2 V，并且Rds导通漏极-源极电阻为14.5mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为25ns，典型接通延迟时间为7ns，Qg栅极电荷为19.7nC，正向跨导Min为43S。
带有用户指南的SQ48T15033-PDA0，包括3.3V电压输出1，它们设计用于2kV（2000V）电压隔离，数据表注释中显示了36V中使用的最小电压输入，提供了75V等最大电压输入功能，类型设计用于隔离模块，以及2.30英寸长x 0.90英寸宽x 0.40英寸高（58.4mm x 22.8mm x 10.2mm）尺寸尺寸，该设备也可以用作SemiQ？SQ48系列。此外，功率瓦制造系列为50W，该器件采用散装封装，该器件具有8-DIP模块，1/8砖封装外壳，工作温度范围为-40°C~85°C，输出数量为1，安装类型为通孔，功能为远程开/关、OCP、OTP、OVP、UVLO，效率为0.895，电流输出最大值为15A，应用是ITE（商业）。
SQ48T15033-PBC0G是贝尔电源公司制造的隔离DC/DC转换器。SQ48T15033-PBC0G可在第八个砖包中获得，是DC-DC转换器的一部分，并支持隔离DC/DC转换器。
